廖洺漢教授團隊磁性高效能鍺半導體元件成果發表

隨著手持式行動裝置的普及與高性能的要求，半導體元件朝高效能、省電、與小尺寸發展。過去幾年來並伴隨摩爾定律(每二年半導體元件數目增加二倍)不斷前進，近年來由於尺寸已經縮小到10奈米等級，各國研發團隊均致力於尋找新穎的材料，以突破現有的半導體極限。

其中鍺半導體材料是一個有機會取代現有矽基半導體的材料，起因於其高載子遷移率的特性，但是目前各國仍然無法有效掌握其閘級設計技術，藉此有效降低漏電流。機械系廖洺漢老師團隊，在科技部、臺灣大學、臺灣大學工學院、臺灣大學機械系與台灣積體電路公司-臺灣大學聯合研發中心(李嗣涔中心主任、潘正聖中心副主任、與劉致為執行長)的支助之下，結合磁性金屬閘級材料的設計，有效的提升鍺半導體元件的特性，達到75% 介電質提升、100倍漏流降低與50%效能提升的優異特性。

此優秀的研究成果，結合磁性物質材料與高速半導體鍺元件，提供未來次世代5-7奈米半導體元件的嶄新道路，並吸引相關國際大廠和國際知名大學如英特爾(Intel)、柏克萊大學(USB)的注意，替未來半導體元件提出有效的解決方案。

相關研究將於2014年6月於檀香山舉辦的超大型積體技術及電路研討會(2014 Symposia on VLSI Technology and Circuits，簡稱VLSI國際研討會)上發表。VLSI國際研討會是全球最先進的半導體與系統晶片學術發表盛會，是展現IC製程整合技術最新成果之最重要櫥窗。每年皆有上千位微電子領域學者及業界專家參加會議，國際重要指標科技大廠如Intel、IBM、Qualcomm等亦均與會。值得一提的是，此研討會今年第一度有臺大的研究團隊的研究成果，被接受發表在VLSI國際研討會-技術論壇(Technology)中，共3篇，其中2篇來自臺大機械系廖洺漢老師研究團隊。