臺灣大學攜手穩懋半導體公司佈局下世代化合物半導體

隨著5G、光通訊等科技發展，著眼於磷化銦 (InP) 與氮化鎵 (GaN) 等三五族電晶體及光電元件在此新興領域扮演關鍵角色，穩懋半導體股份有限公司7月30日與臺灣大學光電工程學研究所暨臺灣大學光電創新研究中心黃建璋、林恭如、吳育任、吳肇欣以及黃定洧教授簽訂合約。本產學合作計畫以兩年為期進行規劃，研究內容主要分成三個項目: 高頻磷化銦異質接面雙載子電晶體、氮化鎵鰭式高電子遷移率電晶體以及磷化銦光子積體電路等。

以上三個研發項目，高頻磷化銦異質接面雙載子電晶體將應用於未來資料中心高速驅動電路、汽車車用雷達 (LiDar) 的長距離感測與傳輸、5G以及生醫影像等。氮化鎵鰭式高電子遷移率電晶體，因其具高崩潰電壓、高電子遷移率以及穩定高頻增益等特性，可應用於包含5G等下世代之基地台通訊技術。而磷化銦光子積體電路子計畫中，將開發晶圓級測試 (On-Wafer Testing) 的製程控制模組 (Process Control Module, PCM)，目標為滿足下世代積體化高頻寬光通訊模組應用。

目前上述領域國內研發單位，特別是本校的研發團隊雖然表現突出，在提升元件效能方面也屢有突破，然與歐、美、日等研發單位所挹注的大量經費以及人力相較，在系統面的整體表現較為劣勢。穩懋半導體公司為全球最大的化合物半導體代工廠，具備優秀的研發團隊與尖端的製程技術，近來更切入光電半導體領域，為國際網路及行動通訊大廠的主要供應商。以本校光電領域團隊所累積之研發創意、研發成果及優秀研發人才，本產學合作計畫可整合研究資源，將本校的研發成果一舉推至領先地位，並迅速將研究成果導入業界應用，提高臺灣在國際化合物半導體能見度。