凝態科學研究中心主任郭瑞年榮獲2009美國物理學會會士(APS Fellow)

今年元月正式接任本校凝態科學研究中心主任的郭瑞年教授，以其卓越之學術研究帶領中心更上一層樓。郭主任榮獲2009年「美國物理學會會士」(APS Fellow)殊榮，她以創新薄膜磊晶技術，發展出多樣新穎電子材料包括超導體、磁性超晶格、高介電值氧化物等，拓展凝體物理領域，特別是其開創性的研究為人工磁性超晶格領域奠定重要的基礎; 而其近年於半導體之先驅研究亦奠定了次世代先進元件與技術根基。美國物理學會（APS）創辦於1899年，每年都會在全球超過47,000名的會員中增選其中不到千分之五的新會士，以表揚獲選者對物理學的傑出貢獻，由於評選過程嚴謹，被視為物理學界的極高榮譽。截至目前為止，台灣地區經提名而當選的美國物理學會會士僅約十名左右。

郭主任1981年在美國史丹佛大學取得博士學位後，在貝爾實驗室從事基礎研究逾22年，早期重要成就在於發明了金屬原子分子磊晶術，因此在1985-1986年間首次於磁性超結晶格中發現磁性之「調控效應」及長距離磁耦合現象之物理機制基礎，此先驅研究導致了爾後Drs. Fert and Grunberg於1988年發現巨磁組現象 (2007年物理諾貝爾獎)。接著在1987至1992年間，她因發明了氧化物原子分子磊晶術而成功製造出單晶高溫超導薄膜，主導超導異向性及基本機制之重要研究。

郭主任於1993-2010年間開始轉向以發展先進氧化物薄膜材料為基礎的電子學 (Oxide Electronics)，首先發明兩種嶄新透明導電氧化物材料－GaInO3及ZnInO3，如今已廣泛應用在顯示器及光電元件。於1994-2003年間她發明了多項新穎高介電值氧化物薄膜材料，取代奈米矽互補式金屬氧化物半導體之閘極氧化層，在以矽基與未來以鍺與三五半導體為基礎之關鍵奈米電子科技界產生重大突破與貢獻，近年以此尖端科技領先全球。她於1996-2010年間研究探討原子尺寸下氧化物與半導體界面，發現新穎Ga2-xGdxO3 和Gd2O3高介電值薄膜材料，作為III-V化合物半導體閘極氧化層，首度示範以III-V半導體為基板的inversion-channel場效電晶體; 此項研究已開啟了超越矽互補性金氧半電子元件 (Beyond Si CMOS) 與超越摩爾定律的科技。

郭主任在學術研究方面表現十分傑出，歷年來於國際物理學界享有卓越聲望，迄今獲得許多榮譽，包括台積電傑出講座、傑出人才講座、清大自然科學講座、清大特聘講座、臺大講座、中華民國物理學會會士、美國物理學會會士等榮譽獎項。在凝態科學領域裡，她的H index 達48之高，SCI論文被引用次數超7800次。 郭主任在奈米電子尖端研究領先全球，過去兩年且擔任台灣物理學會理事長，並熱心投入培育科學人才，為學術界與研發界帶來新鮮動力與活潑氣象。