臺大電子所AccessICLab團隊榮獲2010VLSI-DATBestPaperAward

可喜可賀的榮耀時刻—Access IC Lab

臺大電子所Access IC Lab研究團隊屢創佳績。日前由實驗室指導教授吳安宇博士、博士後研究員鄭凱元、博士生趙之昊與碩士生王浩宇所組成團隊，以分析Three-Dimensional Stacking Integrated Circuits (3D IC) 中熱流與資料流偶合現象為出發點，進行快速且有效的電腦模擬平臺研究與實作。其投稿論文以「Traffic-Thermal Mutual-Coupling Co-Simulation Platform for Three-Dimensional Network-on-Chip」為題目，甫獲選2010年International Symposium on VLSI Design, Automation & Test (VLSI-DAT) 最佳論文獎。本屆VLSI-DAT的最佳論文獎是從72篇發表論文，經過最佳論文評選小組以及現場與會者，針對現場簡報品質評分，外加論文撰寫品質等綜合考量下，經由評選委員的共同討論，評選出一篇最佳論文。此項研究成果不僅對VLSI設計技術有所貢獻，為未來3D IC研究領域往前邁進一步，亦再度肯定了臺大在IC設計領域的前瞻性與研究領導性！

What is「VLSI-DAT」?

VLSI-DAT是全球先進半導體技術學術會議之一，每年邀集半導體設計、設計自動化及測試等領域的國內外知名學者專家，針對全球半導體產業技術走向提出精闢分析、發表前瞻論文並提供技術的展望。2010年VLSI DAT研討會包含一場3D IC聯合議程、17場主題議程、4場深度短期課程，以及2009年最佳論文獎頒獎典禮，吸引全球各地半導體上中下游業者、研究與學術機構、及產業研究單位等近千人與會。除了國內外的受邀講師外，2010年VLSI-DAT研討會，計有72篇來自美、日、法、新加坡、英國、德國、瑞士、荷蘭、比利時、中國大陸等精選論文於會中發表，這些今年獲選發表的論文，皆採公開徵求稿件，經由大會議程委員召開論文評選會議從159篇投稿論文中選出，與會之國內外學員對論文品質與報告表現皆給予高度肯定。

具溫度感知的三維晶片內網路系統模擬平臺

隨著系統晶片趨於複雜，晶片內連線與通訊逐漸成為晶片設計的重大議題。晶片內網路(Network-on-Chip, NoC)和三維晶片(Three Dimensional IC, 3D IC)的直通矽晶穿孔(Through Silicon Via, TSV)技術分別被提出，以突破現有晶片內通訊的效能瓶頸；因此，三維晶片內網路結合兩者技術，提供未來晶片內通訊的高效能平臺。然而，三維晶片結構的散熱問題向來是一大挑戰，在三維晶片內網路的設計初期便需併入設計考量。由於現有晶片內網路設計工具尚無支持熱模擬功能，本研究團隊自行整合開發一模擬平臺，協助未來三維晶片內網路的研究。此模擬平臺支援網路流量與晶片溫度的交互影響模擬，供設計者快速開發溫度感知的三維晶片內網路設計，以及溫度管理機制的效果。為確保熱模擬的準確性，此模擬平臺亦經專業有限元素分析工具CFD-RC驗證其溫度誤差範圍在可接受範圍內。目前，本研究團隊已經利用VLSI-DAT研討會所開發之模擬平臺，進一步設計與驗證一具溫度感知的三維晶片內網路系統，已於2010年5月在晶片內網路研究領域盛事，ACM/IEEE International Symposium on Networks-on-Chip (NOCS)研討會中發表。